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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

内容大环境 本次目最靠近长江三角形部委某部委级半导体材料流通业园区,的企业主要的生产制造8厘米和12厘米晶圆,日常量起到2万片。伴随扩产提拔,原本有的废水处里工艺处里模式已無法实现干净需要,亟需优化提升。顶目总投资者约1五百万元,来设计处里作用为300吨/日,于2021时间内投入使用投入运营。 焦化废水部分及主要来源 该各个企业晶圆片区工艺流程出现的废气关键含盖下面成份: 割切流程中的使用的精磨液残渣物,最主要材质为二氧化物硅颗料、漆层催化活性液和有机会加入剂 晶圆表面上洗涤造成的含氟焦化废水,氟亚铁离子质量浓度在80-120mg/L 少量出血本属阴离子如铜、镍等,来历于激光切割产品受损 充分稀释剂残渣,其中包括异丙醇、甲苯等 pH值冲击较高,平常在4-10两者 操作的流程的流程 重视工业废水属性,装修设计使用"有机化学预处置+生化学处置+深浅处置"的组和工序: 改善池 :均等化饮用水质排水量,设为pH手机环境监测方案和会自动投药机系统 混疑沉淀物 :污泥脱水PAC和PAM,清理悬屏物和胶体溶液有机化合物 气浮单元测试 :采用了溶气气浮流程进两步剔除狗细小颗粒剂和一些有机肥料物 血生化进行处理 :所采用MBR膜生态学反应迟钝器,活性污泥渗透压持续在8000-10000mg/L 高度解决 :抗逆性炭吸咐+反渗透设备性和工艺设计,确定冒水及格 飞灰净化处理 :板框板框压滤机脱水等,厌氧颗粒污泥水分含量率调至60%下列 处置实际效果 系统不稳定性作业后,有水出水质监测齐全满足《自动化化工水环保问题物排放口物标准》(GB39731-2020)独特排放口物限制值耍求: COD<30mg/L 氟铝离子<5mg/L 悬浮物物<10mg/L 血本属数据来技术指标均低过规定值 该项目第一年可缩短弄脏物排污量约COD 32吨、氟化物8.5吨,中水回用水率实现75%上面的,为中小型企业省去电费性支出约130万元/年。

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